混載MRAMの高速読み出し/書き換え技術を開発 高電圧のスイッチ(High voltage switch)を設けることで、書き換え電圧を印加する領域を絞り込む[クリックで拡大] 出所:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan