混載MRAMの高速読み出し／書き換え技術を開発

MRAMの書き換え単位であれば、IO用電源を降圧させた低い書き換え電圧の印加で、ほぼ全ビットを書き換えることが可能だ［クリックで拡大］ 出所：ルネサス エレクトロニクス