混載MRAMの高速読み出し／書き換え技術を開発

書き換えを高速化する2つの技術の概要。書き換え動作には、いくつかの動作モード（図中のブルーで示しているところ）が含まれている。これらの動作モードが遷移する際、内部電圧セットアップの待ち時間が発生するが、ルネサスは今回、この待ち時間を短縮する技術を開発した［クリックで拡大］ 出所：ルネサス エレクトロニクス