耐圧1200VのSiC FET、低いオン抵抗×面積を実現 Qorvoの1200V SiC FETをOBCのフロントエンドに採用した場合の、Gen4のメリット[クリックで拡大] 出所:Qorvo 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan