2022年内にGaN-on-GaNデバイスを市場投入、NexGen

GaN Fin-JFETと既存デバイスとの短絡耐性の比較［クリックで拡大］出所：バージニア工科大学/CPES（Center for Power Electronics Systems）の実施した試験「Breakthrough Short Circuit Robustness Demonstrated in Vertical GaN Fin JFET」、IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 37, NO. 6, JUNE 2022

GaN Fin-JFETと既存デバイスとの短絡耐性の比較［クリックで拡大］出所：バージニア工科大学/CPES（Center for Power Electronics Systems）の実施した試験「Breakthrough Short Circuit Robustness Demonstrated in Vertical GaN Fin JFET」、IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 37, NO. 6, JUNE 2022