2kV耐圧のSiC MOSFETとダイオードを発表、Infineon

左＝2kV SiC MOSFETおよびダイオードのラインアップ。M1H同様、広い電圧推奨領域を実現している／右＝最大2.3kVに対応するゲートドライバーICについて［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies