2kV耐圧のSiC MOSFETとダイオードを発表、Infineon 左=2kV SiC MOSFETおよびダイオードのラインアップ。M1H同様、広い電圧推奨領域を実現している/右=最大2.3kVに対応するゲートドライバーICについて[クリックで拡大] 出所:Infineon Technologies 記事に戻る 永山準,EE Times Japan