2kV耐圧のSiC MOSFETとダイオードを発表、Infineon

左＝従来製品とのゲート電圧推奨領域の違い。左の2つが従来製品の表で、上はディスクリート品、下がモジュール品の推奨領域。新製品（右）はM1H同様、広い電圧推奨領域を実現している／右＝頑丈なボディーダイオードはハードスイッチングにも適している［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies