EV急速充電器など向けの1200V耐圧SiC MOSFET、Infineon

従来製品とM1Hのゲート電圧推奨領域の違い。左の2つが従来製品の表で、上はディスクリート品、下がモジュール品の推奨領域だ。M1Hではディスクリート、モジュールともに右表の通り広い電圧推奨領域を実現している［クリックで拡大］ 出所：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン