界面の魅力と日本半導体産業の未来 〜学生諸君、設計者を目指せ!

図5:トランジスタのチャネル膜厚と移動度の関係[クリックで拡大] 出所:高木信一(東京大学),“先端ロジックCMOS のためのチャネル材料・デバイス技術“のスライド、2022年、電子デバイス界面テクノロジー研究会、招待講演

図5:トランジスタのチャネル膜厚と移動度の関係[クリックで拡大] 出所:高木信一(東京大学),“先端ロジックCMOS のためのチャネル材料・デバイス技術“のスライド、2022年、電子デバイス界面テクノロジー研究会、招待講演