シリコンフォトニクス技術「COUPE」が導波路とファイバを高い効率で結ぶ

TSMCが考案した回折格子型結合器（GC）とエッジ型結合器（EC）の性能（シミュレーション結果。左はGCの接続損失（IL）、右はECの接続損失（IL）。いずれも波長依存性がある［クリックで拡大］ 出所：TSMC（Hot Chips 33の講演「TSMC packaging technologies for chiplets and 3D」のスライドから）