東京工大、溶液法で高性能のpチャネルTFTを開発

薄膜作製時のSnF2添加剤依存性。左は2/3次元ペロブスカイト薄膜構造比較、中央と右はTFT特性の比較[クリックで拡大] 出所:東京工業大学

薄膜作製時のSnF2添加剤依存性。左は2/3次元ペロブスカイト薄膜構造比較、中央と右はTFT特性の比較[クリックで拡大] 出所:東京工業大学