シリコンフォトニクス技術「COUPE」の電気的な性能 電気的な性能のシミュレーション結果(その1)。左はEICとPICのインタフェースによる寄生容量。右は電源ネットワーク(PDN)のインピーダンス[クリックで拡大] 出所:TSMC(Hot Chips 33の講演「TSMC packaging technologies for chiplets and 3D」のスライドから) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan