HARエッチングとナノスケールパターニングで実現するメモリロードマップ

図2：イオンと中性粒子のシャドーイング、粒子輸送のアスペクト比依存性は、イオンの角度分布同様、CD（パターン寸法）のばらつき、エッチストップ、ボーイング（Bowing：湾曲）、ツイスティングなどの形状異常を引き起こす大きな要因となる［クリックで拡大］ 出所：ラムリサーチ