HARエッチングとナノスケールパターニングで実現するメモリロードマップ 図1:増大するエッチングの課題。3D NANDスタックが128層をこえると、その高さは7μmに近づき、必要なチャネルホールやスリットは高アスペクト比(HAR)形状に変わる[クリックで拡大] 出所:ラムリサーチ 記事に戻る Yang Pan, Samantha Tan, Richard Wise(Lam Research),EE Times Japan