シリコンダイを直接水冷する次世代放熱技術の実力

実験に使用した3種類の放熱構造。左は、回路を形成した（と仮定した）シリコンダイ（TTV：Thermal Test Vehicle）と放熱用シリコンダイ（Si Lid）をシリコン酸化膜（OX）のTIM（Thermal Interface Material）を介して接続した構造（略称：OX TIM）、右上は回路を形成したシリコンダイ（TTV）の表面に放熱用の角柱アレイを形成した構造（略称：DWC（Direct Wafer Cooling））、右下は回路を形成したシリコンダイ（TTV）と放熱用シリコンダイ（Si Lid）を液体金属のTIMを介して接続した構造（略称：LMT）。いずれも底面にヒーターを作り込んでいる［クリックで拡大］ 出所：TSMC（2021 VLSI Technology Symposiumの講演「Ultra High Power Cooling Solution for 3D-ICs」（講演番号JFS1-4）のスライドから）

実験に使用した3種類の放熱構造。左は、回路を形成した（と仮定した）シリコンダイ（TTV：Thermal Test Vehicle）と放熱用シリコンダイ（Si Lid）をシリコン酸化膜（OX）のTIM（Thermal Interface Material）を介して接続した構造（略称：OX TIM）、右上は回路を形成したシリコンダイ（TTV）の表面に放熱用の角柱アレイを形成した構造（略称：DWC（Direct Wafer Cooling））、右下は回路を形成したシリコンダイ（TTV）と放熱用シリコンダイ（Si Lid）を液体金属のTIMを介して接続した構造（略称：LMT）。いずれも底面にヒーターを作り込んでいる［クリックで拡大］ 出所：TSMC（2021 VLSI Technology Symposiumの講演「Ultra High Power Cooling Solution for 3D-ICs」（講演番号JFS1-4）のスライドから）