スイッチング損失を従来比で30%低減したSiCモジュール 左=チップ接合部には焼結銅を採用した/右=チップ接合材料の比較[クリックで拡大] 出所:日立パワーデバイス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan