スイッチング損失を従来比で30%低減したSiCモジュール 左=独自に設計したゲート抵抗の温度依存性のグラフ。高温でも抵抗が増加していないことが分かる/右=スイッチング損失低減の効果[クリックで拡大] 出所:日立パワーデバイス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan