スイッチング損失を従来比で30％低減したSiCモジュール

左＝独自に設計したゲート抵抗の温度依存性のグラフ。高温でも抵抗が増加していないことが分かる／右＝スイッチング損失低減の効果［クリックで拡大］ 出所：日立パワーデバイス