混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス

スロープパルス方式では印加電圧を高くしていくのでメモリセル電流も増加し、低抵抗状態への遷移を正確に検知できるようになる［クリックで拡大］ 出所：ルネサス