混載MRAMの書き換えエネルギーを72%削減、ルネサス 青い点線は自己終端がうまくいっているもの。高抵抗状態で書き換え電圧を印加し、低抵抗状態に遷移したことがしっかり検知され、電圧印加が停止している。課題となっているのは青い実線で示されているケース。低抵抗状態に遷移した際、メモリセル電流が検出回路の不感帯に入ってしまい、低抵抗状態に入ったことがうまく検知されない。そのため、設定されている最大時間まで書き換え電圧が印加され、無駄なエネルギーが消費されてしまう[クリックで拡大] 出所:ルネサス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan