10年で5世代の進化を遂げた高性能パッケージング技術「CoWoS」（前編）

「CoWoS_S」（従来の「CoWoS」）の断面構造例。いわゆる2.5次元（2.5D）パッケージの代表である。中間基板（インターポーザ）であるシリコン基板に高密度な配線とシリコン貫通ビア（TSV）を形成することで、シリコンダイ間の近接配置を可能にするとともに、高速の信号を伝送する［クリックで拡大］ 出所：TSMC（Hot Chips 33の講演「TSMC packaging technologies for chiplets and 3D」のスライドから）