「InFO」構造を積層したミリ波帯域用高性能パッケージ 「InFO_SoIS」のミリ波帯域における挿入損失。従来の樹脂基板(GL102)と比較した。左下の表は28GHzおよび50GHzの相対値(従来基板を1.0としたもの)、右下のグラフは挿入損失の周波数特性[クリックで拡大] 出所:TSMC(Hot Chips 33の講演「TSMC packaging technologies for chiplets and 3D」のスライドから) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan