「InFO」技術を低コストの高性能コンピューティング（HPC）に応用

「InFO_oS」の概要と構造図。複数のシリコンダイと基板の間を再配線層（RDL）で結ぶ。RDLの配線幅/間隔は最短で2/2μmと細い。RDLの層数は5層。基板とRDLの間は130μmピッチの銅（Cu）バンプで接続する［クリックで拡大］ 出所：TSMC（Hot Chips 33の講演「TSMC packaging technologies for chiplets and 3D」のスライドから）