SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能

今回の性能向上の効果。オン抵抗で最も大きいチャネル抵抗を6分の1に低減できることで、オン抵抗は2分の1になる。これにより、コスト減も実現できる［クリックで拡大］ 出所：京都大学