SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能

左＝実用的なパワートランジスタでは、p型領域のドーピング密度が1017〜1018cm-3と高い。だが、SiC-MOSFETでそのくらい高くすると、チャネル移動度が急激に低下するという課題がある／右＝1017〜1018cm-3あるいはそれ以上のドーピング密度でも、独自手法＋A面／M面では約80〜100cm2/Vs以上のチャネル移動度を達成した［クリックで拡大］ 出所：京都大学