SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能 独自手法+A面では、チャネル移動度が従来法+Si面の6倍以上と大幅に向上した。グラフには表示されていないが、独自手法+M面の結果は約110cm2/Vsだという。なお、左のプレーナ型MOSFETは、Si面上に作成した場合の例。今回の評価では、Si面の他に、A面とM面上にもMOSFETを作成した[クリックで拡大] 出所:京都大学 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan