SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能 独自手法を用いて酸化膜を生成したところ、A面とM面では界面欠陥が大幅に減少した[クリックで拡大] 出所:京都大学 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan