SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能 A面とM面の界面は、Si面の界面に比べて原子レベルで平たんになっていることが見て取れる[クリックで拡大] 出所:京都大学 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan