SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能 トレンチ側壁でも、良い特定の酸化膜を形成できるかが鍵となる[クリックで拡大] 出所:京都大学 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan