エッジAI発展に重要な「インメモリコンピューティング」 左=PCMは、ゲルマニウム(Ge)とアンチモン(Sb)、テルル(Te)の合金を用いたもので、急加熱、冷却によってアモルファス(単結晶)相と多結晶相にそれぞれ変化する材料特性を利用。電気抵抗の異なるこの2つの相が論理値0と1に対応している/右=PCMストレージの構造。内部のヒーターによって、メモリセルが多結晶相またはアモルファス相に急速に変化する[クリックで拡大] 出所:STMicroelectronics 記事に戻る 永山準,EE Times Japan