エッジAI発展に重要な「インメモリコンピューティング」

左＝PCMは、ゲルマニウム（Ge）とアンチモン（Sb）、テルル（Te）の合金を用いたもので、急加熱、冷却によってアモルファス（単結晶）相と多結晶相にそれぞれ変化する材料特性を利用。電気抵抗の異なるこの2つの相が論理値0と1に対応している／右＝PCMストレージの構造。内部のヒーターによって、メモリセルが多結晶相またはアモルファス相に急速に変化する［クリックで拡大］ 出所：STMicroelectronics