多層配線のビア抵抗を大幅に低減する「スーパービア」

スーパービア（左）と従来技術（スタックビア）（右）の抵抗値（測定値）。写真は断面の電子顕微鏡観察像。配線ピッチはM2が21nm、M1とM3が36nm。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）