高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術 ルテニウム(Ru)配線のAR比と抵抗および静電容量の関係。抵抗値と容量値はいずれも単位長当たり。出典:imec(IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan