有機半導体で「絶縁体−金属転移」を実験的に観測

左図は各ゲート電圧VGにおけるシート抵抗Rsheetの温度T依存性。右図は作製したデバイスの顕微鏡像と、C8-DNBDT数分子に渡り、電子が二次元分子面に広がっている状態 （クリックで拡大） 出典：東京大学他