高融点金属の多層配線技術が2nm以降のCMOSを実現

セミダマシン（Semi-Damascene）の配線形成プロセス。成膜とエッチングによって配線とビア電極を形成する。ビアの周囲は絶縁膜あるいはエアギャップとなる。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）