10nm以下の極短チャンネルを目指す2次元（2D）材料のトランジスタ

2次元材料の二流化タングステン（WS2）をフォークシート構造のナノシートに適用したFETの構造と高周波特性をシリコンのナノシート構造FETと比較した。左はフォークシート構造の概念図。右は動作周波数（横軸）と動作時消費電力（縦軸）の関係。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）