10nm以下の極短チャンネルを目指す2次元（2D）材料のトランジスタ

試作した2次元（2D）材料トランジスタの断面を電子顕微鏡で観察した画像。チャンネル（中央下）の材料は二流化タングステン（WS2）。チャンネルの下がアルミナのゲート絶縁膜、その下がシリコンのバックゲート。チャンネルのゲート長は224nm。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）

試作した2次元（2D）材料トランジスタの断面を電子顕微鏡で観察した画像。チャンネル（中央下）の材料は二流化タングステン（WS2）。チャンネルの下がアルミナのゲート絶縁膜、その下がシリコンのバックゲート。チャンネルのゲート長は224nm。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）