サブナノメートル時代を見据える2次元（2D）材料のトランジスタ

2次元（2D）材料「遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）」の構造（左）と比誘電率（右）。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）