サブナノメートル時代を見据える2次元(2D)材料のトランジスタ
チュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials(CMOSを3nm以下に微細化する要素技術-デバイスアーキテクチャと寄生素子、材料)」のアウトライン。講演スライド全体から筆者が作成したもの。今回から、「さらにその先を担うトランジスタ技術(ポストシリコン材料)」の講演パートを紹介する(クリックで拡大)
![チュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials(CMOSを3nm以下に微細化する要素技術-デバイスアーキテクチャと寄生素子、材料)」のアウトライン。講演スライド全体から筆者が作成したもの。今回から、「さらにその先を担うトランジスタ技術(ポストシリコン材料)」の講演パートを紹介する(クリックで拡大)](/ee/articles/2108/24/l_mm210824_device01_w490.jpg)