次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（後編）

ボトム側がnチャンネルGaN（窒化ガリウム）MOSFET、トップ側がpチャンネルSi MOSFETのシーケンシャルCFET（構造図）。出典：intelが2019年12月に国際学会IEDMで発表した論文「3D Heterogeneous Integration of High Performance High-K Metal Gate GaN NMOS and Si PMOS Transistors on 300mm High-resistivity Si Substrate for Energy-Efficient and Compact Power Delivery, RF(5G and beyond) and SoC Applications」（論文番号17.3）から（クリックで拡大）

ボトム側がnチャンネルGaN（窒化ガリウム）MOSFET、トップ側がpチャンネルSi MOSFETのシーケンシャルCFET（構造図）。出典：intelが2019年12月に国際学会IEDMで発表した論文「3D Heterogeneous Integration of High Performance High-K Metal Gate GaN NMOS and Si PMOS Transistors on 300mm High-resistivity Si Substrate for Energy-Efficient and Compact Power Delivery, RF(5G and beyond) and SoC Applications」（論文番号17.3）から（クリックで拡大）