次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）

シリコン（Si）のトランジスタと、別の材料によるトランジスタを組み合わせたコンプリメンタリFET（C（Complementary）FET）の試作例。左はボトム側にnチャンネルのSi FinFET、トップ側にpチャンネルのゲルマニウム（Ge）ナノリボン（ナノシート）構造を選択したCFET。右はボトム側にnチャンネルのSi MOSFET、トップ側にpチャンネルの窒化ガリウム（GaN） MOSFETを選択したCFET。いずれもintelが試作して国際学会IEDM（IEDM 2019）で発表したもの。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料）