次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」が抱える、もう1つの課題

熱処理（アニール）方法によるオン／オフ電流特性の違い。左はnチャンネルMOS FET、右はpチャンネルMOS FET。縦軸はオフ電流（ゲート・ソース間電圧0V）、横軸はオン電流（ゲート・ソース間電圧1V）。LT LAは低温のレーザーアニール、HT spikeは高温のスパイクアニール、Asはヒ素、Pはリン、Bはボロンを意味する 出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond – device architectures, parasitics and materials」の配布資料）