次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」が抱える、もう1つの課題

歪みシリコンSOI（sSOI）によるトランジスタの性能向上。左はウエハー貼り合わせ工程の脱ガス熱処理（650℃、1時間）を加えても歪みシリコンが維持されていることを示す分析結果（ラマン散乱分光分析）。右はnチャンネルMOSトランジスタのサブスレッショルドスロープ（SS）（横軸）とトランスコンダクタンス（ピーク値）の関係。LTは低温プロセス、HTは高温プロセス、extはエクステンション（「ext-less」はエクステンションなし、「w/ext（As）」はヒ素（As）を注入することによるエクステンションの形成を意味する）、SOIは通常のシリコンチャンネル、sSOIは歪みシリコンチャンネルを指す 出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond – device architectures, parasitics and materials」の配布資料）