次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス

試作したCFETの断面構造（電子顕微鏡による観察画像）と静特性。上がトップ側のnチャンネルFET（ナノシート構造）、下がボトム側のpチャンネルFET（フィン構造）。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）