コンプリメンタリFET（CFET）でCMOS基本セルの高さを半分に減らす

5nm世代以降のトランジスタ技術（断面構造図）のオプション。上の3つはFinFET、下は左からナノシートFET、フォークシートFET、CFETである。出典：imecが2019年12月に国際学会IEDMで発表した論文「Enabling Sub-5nm CMOS Technology Scaling Thinner and Taller!」（論文番号29.4）から（クリックで拡大）