FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術

「コンプリメンタリFET（C（Complementary）FET）」の特徴と、試作したトランジスタの断面構造を電子顕微鏡で観察した画像。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond ‐ device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）