FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術

「コンプリメンタリFET（C（Complementary）FET）」の考え方。Sはソース、Dはドレイン、Gはゲートである。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）