FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術

imecが考えるトランジスタ技術のロードマップ。FinFETからナノシート（Nanosheet）、フォークシート（Forksheet）と技術世代が交代する。ここで平面（2D）構造のトランジスタが限界に対し、次の世代は積層（3D）構造のCFET（Complementary FET）が候補として考えられている。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）

imecが考えるトランジスタ技術のロードマップ。FinFETからナノシート（Nanosheet）、フォークシート（Forksheet）と技術世代が交代する。ここで平面（2D）構造のトランジスタが限界に対し、次の世代は積層（3D）構造のCFET（Complementary FET）が候補として考えられている。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）