8インチGaN-on-Siの量産を実現した中国新興企業

左=InnoscienceのGaN FETを搭載した急速充電器も展示されていた/右=8インチのGaN-on-Siエピウエハー。最先端のMOCVD(有機金属気相成長法)を導入しているという(クリックで拡大)

左=InnoscienceのGaN FETを搭載した急速充電器も展示されていた/右=8インチのGaN-on-Siエピウエハー。最先端のMOCVD(有機金属気相成長法)を導入しているという(クリックで拡大)