ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造のトランジスタ フォークシート(Forksheet)構造でpチャンネルとnチャンネルのトランジスタを作り込む模式図。出典:imec(IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料) (クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan